Struktura

Kapacita diody

Kapacita diody

I když krystalová mřížka obou částí diody (P a N) na sebe plynule navazuje, chová se vyprázdněná oblast (oblast prostorového náboje) jako izolační vrstva a celková situace tak připomíná deskový (rovinný) kondenzátor, jehož elektrody jsou od sebe odděleny tloušťkou vyprázdněné vrstvy d (d je asi 1 μm). Relativní permitivita křemíku εr =12 a odpovídající kapacita dosahuje podle plochy přechodu až několika desítek pikofaradů (obr. 1).

Obr. 1: Kapacita přechodu PN

Vzhledem k tomu, že tloušťku vyprázdněné oblasti je možné měnit velikostí připojeného napětí, dochází i ke změně kapacity a současně také ke změně odporu diody. Při UF=UP vyprázdněná oblast mizí, dioda je otevřena a chová se jako malý odpor (obr. 2).

Kapacita přechodu Cp se skládá ze dvou složek:

  • difúzní kapacita CD ~ IF, přechod PN je v propustném směru;

  • bariérová kapacita CT ~ UR, přechod PN je v závěrném směru.

C_{P}=C_{D}+C_{T}

Obr. 2: Závislost kapacity a odporu diody na napětí

Zdroje

  • KOUTNÝ, Jaroslav a Ivo VLK. Elektronika I učebnice.  VYTVOŘENO V RÁMCI PROJEKTU: DIGITÁLNÍ ŠKOLA: ICT VE VÝUCE TECHNICKÝCH PŘEDMĚTŮ, REG. Č. CZ.1.07/1.1.04/01.0137, Vyšší odborná škola a Střední průmyslová škola elektrotechnická, Olomouc 2009

Obrázky

  • Obr. 1: KOUTNÝ, Jaroslav a Ivo VLK. Kapacita přechodu PN, Elektronika I učebnice.  VYTVOŘENO V RÁMCI PROJEKTU: DIGITÁLNÍ ŠKOLA: ICT VE VÝUCE TECHNICKÝCH PŘEDMĚTŮ, REG. Č. CZ.1.07/1.1.04/01.0137, Vyšší odborná škola a Střední průmyslová škola elektrotechnická, Olomouc 2009
  • Obr. 2: KOUTNÝ, Jaroslav a Ivo VLK. Závislost kapacity a odporu diody na napětí, Elektronika I učebnice.  VYTVOŘENO V RÁMCI PROJEKTU: DIGITÁLNÍ ŠKOLA: ICT VE VÝUCE TECHNICKÝCH PŘEDMĚTŮ, REG. Č. CZ.1.07/1.1.04/01.0137, Vyšší odborná škola a Střední průmyslová škola elektrotechnická, Olomouc 2009
Logolink